半導(dǎo)體光子學(xué)與光電器件

職位類別：

研究方向：半導(dǎo)體光子學(xué)與光電器件
崗位要求：
1.半導(dǎo)體相關(guān)研究方向；
2.獲得博士學(xué)位一般在3年內(nèi)，年齡一般不超過35周歲；
3.具有良好的科研潛質(zhì)、學(xué)術(shù)道德和綜合能力；
4.全職從事研究工作，以“長沙半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新研究院，半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)”(Changsha Semiconductor Technology and Application Innovation Research Institute, College of Semiconductors (College of Integrated Circuits), Hunan University, Changsha 410082, China)為第一單位發(fā)表SCI論文至少1篇；依托湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)申請國家自然科學(xué)基金青年基金、中國博士后科學(xué)基金等各種縱向項(xiàng)目。

待遇：
1.每年20萬元標(biāo)準(zhǔn)提供日常經(jīng)費(fèi)（包括但不限于含國家規(guī)定的博士后研究人員工資、補(bǔ)貼和必要額度福利開支。）滿足重點(diǎn)資助后補(bǔ)助出站條件后一次補(bǔ)助10萬/年。合作導(dǎo)師支持配套工作津貼3萬/年；
2.按政策享受長沙市人才補(bǔ)貼(包括生活補(bǔ)貼、購房補(bǔ)貼、落戶補(bǔ)貼)；
3.在站期間學(xué)校計(jì)算工作年限，進(jìn)站前無工作經(jīng)歷的博士后人員參加工作時(shí)間從進(jìn)站之日起計(jì)算；
4.博士后入站即評(píng)為助理研究員，博士后期間認(rèn)定副研究員指標(biāo)單列；
5.享受湖南大學(xué)教師同等科研成果獎(jiǎng)勵(lì)。在站期間可在湖南大學(xué)落戶，子女享受湖大教職工子女入托、入學(xué)待遇；
6.參與湖南大學(xué)“杰出博士后”獎(jiǎng)評(píng)選，入選者出站后可申請事業(yè)編制教學(xué)科研崗位。